近日，第三代半导体关键装备国产化专题研讨会圆满召开。本次研讨会由中国半导体行业协会半导体支撑业分会主办，江苏第三代半导体研究院承办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、苏州实验室信息材料研究部、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳米科技发展有限公司协办。
苏州工业园区早在2006年就抢抓机遇，前瞻布局第三代半导体产业，现已集聚相关企业80多家，形成了以“设备辅材-衬底-外延-器件”为核心、以“下游应用”为支撑的完整产业链，制定了氮化镓领域67%的国家标准，在碳化硅外延设备、电力电子器件等领域创造了多个“第一”“唯一”，成功入选国家首批“先进制造业集群”，位列“中国第三代半导体最具竞争力产业园区”榜首。
研讨会上半场重点围绕“第三代半导体关键装备国产化”展开，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）副主任、江苏第三代半导体研究院院长徐科首先介绍了国家第三代半导体技术创新中心（苏州）建设进展，9位国产装备龙头企业代表分别从各自的优势装备角度介绍了在第三代半导体工艺制程中的最新研发和应用进展。
研讨会下半场专题讨论环节，7位特邀嘉宾首先对“延续硅基半导体的发展，开展第三代半导体技术研发及产业化面临的问题，以及国产化支撑能力的不足与挑战”畅所欲言，提出目前国内的装备制造商大多数从硅基半导体发展而来，对于第三代半导体衬底材料的性能是否适用原有设备需要重新定位，适应第三代半导体产业的新要求，从客户需求出发，降低成本提高效能，依托现有产业基础做引领性创新，需要企业、科研院所与产业链上下游供应链一起共同开发，提供成套装备与工艺技术。
在“装备国产化与国际化，进一步提升国际竞争力”议题讨论中提出，未来第三代半导体产业将有可能带领产业链相关企业走出国内，与东欧、韩国等国家开展产业合作，国家创新中心平台可扮演重要的国际纽带和桥梁作用。
最后针对“依托开放的公共平台，共同形成创新迭代，要面临的主要困难和建议”的议题，各位重量级嘉宾纷纷建言献策，提出平台要有明确的目标和客户，与合作伙伴长期合作针对未来第三代半导体产业持续开展特色工艺路线研发，同时表达了与国创中心公共平台进一步加强深度合作的意愿。
此次会议作为国产装备发展之路的重要探讨，将为后续建设开放的技术开发平台、核心零部件与国产装备在第三代半导体领域的突围，埋下了火种，星火燎原，未来可期。
